uvc led燈珠_LED燈珠生產技術

uvc led燈珠_LED燈珠生產技術

紫外線是指太陽光線中紫色以外的肉眼看不見的光線。紫外波段）根據波長，通常是長波紫外線或UVA（320lt；λ≤400nm）、中波紫外或UVB（280lt；λ≤320nm，短波紫外或UVC（200lt；λ≤280nm）及真空紫外VUV（10lt；λ≤200nm）對應于不同波長，詳細應用不同。從led燈珠延伸出來的紫外線UVled燈珠，其應用領域廣，百貨公司的放出定時大。合理運用紫外線，極盡發揮紫外線的功用，成為人類的福音。

現在UVled燈珠芯片產業發生了問題。

一、量子功率低深紫外led燈珠的EQE不超過10%，大部分量子功率在5%以下。實際上，當前可購買的UVB、UVC頻帶led燈珠的量子功率為1%？多為2%。這與淺紫外線和藍光led燈珠的水淮明顯相距甚遠。

二、很難獲得更短波長的技能從技能的觀點來說，一般的藍光led燈珠作為發光資料基本選擇GaN，但是GaN的帶隙是3.4eV，所以芯片內部產生的波長小于370nm的輻射被GaN吸收。因此，UV？很多led燈珠使用AlGaN作為發光資料。

另一方面，AlGaNled燈珠需要比1層帶隙大的覆蓋層，導致更高的貫通位錯密度，然后導致發光功率的降低。

隨著輻射峰值波長的減少，UV？led燈珠芯片的外部量子功率逐漸降低。也就是說，要獲得更短波長，技能難度較高，UV？led燈珠有必要研究芯片制造商的運用技能。

三、高Al組分AlGaN資料的外延成長困難GaN基藍光LED與燈珠相比，深紫外led燈珠的研究開發對于高Al組分AlGaN資料的外延生長是困難的，一般來說，Al成分越高結晶質量越低，位錯密度109cm？2~1010 cm涉及兩個以上。

AlGaN與GaN相比，資料的摻雜非常困難，無論是n型摻雜還是p型摻雜，隨著Al成分的添加，外延層的導電率急速下降，特別是p？AlGaN特別得到了摻雜，摻雜劑Mg的激活功率低，空穴缺乏、導電性、發光功率急劇下降。

同時，紫外線led燈珠在平面藍寶石基板上外延生長，光輸出低。針對這些技能的難點，開發了AlN同質基板技能、納米圖形基板外延技能NPSS以及一般化p型層技能等幾個解決方案。

1、基板技能約束深紫外LED器材光提取功率的另一個重要因素是平面藍寶石基板，平面藍寶石基板引起嚴格的界面全反射，許多紫外線約束不能從外延層中出來。

對于這些難題，近年來國內外都打破了一些討論。日本名城大學研究人員認為，DUV LED是珠藍寶石的另一邊？eye通過制造結構，獲得了1.5倍的光提取功率的進步。

美國的研究人員在280nm DUV LED藍寶石的另一側制造了微透鏡陣列，并在20mA注入電流下提高了光輸出功率55%。

韓國研究人員的模仿成果表明，納米柱結構對于添加DUV LED的光提取功率，特別是TM的光提取非常有用。中國科學院半導體研究所通過納米選擇圖案基板的技術，在20mA的注入電流下使283nmDUVled燈珠的光輸出從1.5mW提高到3mW，使外部量子功率提高近2倍，其中重要的進步元件來自納米圖案基板的光提取增強作用。

另外，紫外波段高反射電極、基板剝離、直接結構芯片等技能能夠有助于進一步提高深紫外LED的光輸出功率。

2、觸發器結構及p層深紫外led燈珠多用作p型歐姆觸摸層pGaN，有時該層的厚度達到100納米以上，但由于pGaN關于量子阱發表的深紫外紫外波段光線被強烈吸收，所以深紫外led燈珠一般選擇觸發器結構。選擇深紫外線透過的pAlGaN層，通過減小pGaN層的厚度，能夠緩和該問題，能夠提高深紫外LED器材的光提取功率。